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王俊，男，汉族，
1979
年
7
月出生于湖北省黄冈市
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湖南大学电气与信息工程学院教授、博士生导师
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国家特聘青年专家、湖南省“高层次人才聚集工程”创新人才、湖南大学岳麓学者、东华软件青年学者
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中国功率半导体技术创新与产业联盟专家委员会委员、中国电源学会器件专委会委员、中国电机工程学会电力电子器件专委会委员、中国物理学会应用物理前沿推介委员会
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IEEE
高级会员
, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
和
IET Power Electronics
编委
.
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Email
：
junwang@hnu.edu.cn
、
junwang-hnu@qq.com
二、学习和工作经历
1996.9—2000.7
中国
华中科技大学
电子科学与技术系
学士
2000.9—2003.7
中国
中国科学院半导体研究所
固体电与微电子学专业
硕士
2003.8—2005.5
美国
南卡罗莱纳大学
电子工程专业
硕士
2005.6—2009.12
美国
北卡罗莱纳州立大学
电子工程专业
博士
2007.5—2007.8
美国
科锐（
Cree
）公司，实习
2009.5—2009.8
，美国
橡树岭国家实验室，实习
2010.2—2013.12
美国
德州仪器公司
高级工程师
2014.1—
至今
中国
湖南大学
教授
三、主要研究方向和科研情况
在功率半导体器件和电力电子技术领域有研究和产品技术开发经验，所研发的功率半导体器件包括基于
Si
和
SiC
材料的二极管、
MOSFET
、
IGBT
、
GTO
、
BJT
及其功率模块，涉及器件的仿真设计、工艺开发、流片研制、测试分析、可靠性分析和评估；所研究的电力电子变换器包括高能效高功率密度
DC/DC
变换器、
PFC
、逆变器、
DAB
、
MMC
等。
美国北卡罗来纳州立大学博士攻读期间，发明了
SiC ETO
晶闸管；美国德州仪器公司工作期间，所研发的高性能功率
MOSFET
产品（
NexFET
）被应用到苹果公司的
iphone5
和
ipad2
、戴尔和惠普服务器等产品中；发表第一作者
/
通讯作者国际期刊论文
50
余篇，拥有
2
项美国发明专利、
1
项日本发明专利和
20
余项中国发明专利。
主持了国家自科基金区域创新联合基金重点项目和湖南省重点研发计划项目等国家和省部级项目
7
项，、企业技术合作项目
20
余项，参与国家重点研发计划和“
863
”等项目。
获教育部高等学校科学研究优秀成果奖技术发明奖二等奖和中国发明协会发明创业奖创新奖一等奖（排名第
1
）。
四、代表性论文
1.
Chao Zhang, Jun Wang, Kun Qu and et al., "WBG and Si Hybrid Half-Bridge Power Processing Towards Optimal Efficiency, Power Quality, and Cost Tradeoff," in IEEE Transactions on Power Electronics. vol. 37, no. 6, pp. 6844-6856, June 2021.
2.
X. Jiang,
J. Wang
, H. Yu, J. Chen, Z. Zeng, X. Yang, Z. John Shen, "Online junction temperature measurement for SiC MOSFET based on dynamic threshold voltage extraction," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 4, pp. 3757-3768, April 2021.
3.
Z. Peng,
J. Wang
, Z. Liu, Z. Li, Y. Dai, G. Zeng, Z. John Shen, "A Variable-Frequency Current-Dependent Switching Strategy to Improve Tradeoff between Efficiency and SiC MOSFET Overcurrent Stress in Si/SiC Hybrid Switch Based Inverters," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 36, no. 4, pp. 4877-4886, April 2021.
4.
Z. Li,
J. Wang
, B. Ji and Z. J. Shen, "Power Loss Model and Device Sizing Optimization of Si/SiC Hybrid Switches," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 35, no. 8, pp. 8512-8523, Aug. 2020.
5.
J. Wang
, Z. Li, X. Jiang, C. Zeng and J. Shen, "Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction",
IEEE Transactions on Power Electronics, February 2019, vol 34, no. 2, pp. 1744-1754
.
6.
J. Wang
, X. Jiang, Z. Li and J. Shen, "Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch", IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, vol 34, no. 3, pp. 2771-2780.
7.
李宗鉴
;
王俊
;
余佳俊
;
江希
;
沈征
; SiC JMOS
和
SiC DMOS
在
Si/SiC
混合器件单相逆变器中的应用研究
,
中国电机工程学报
, 2019, 39(19): 5674-5682+5895
五、主要讲授课程
电力电子器件及应用技术
(
研究生
),
现代电力电子技术基础
(
本科
)
，模拟电子技术基础
(
本科
)
六、学生竞赛和就业简况
中国研究生电子设计竞赛和中国研究生创“芯”大赛国赛获奖
7
项；
研究生就业单位包括：华为公司、比亚迪、三安光电、中国电子科技集团、国网、南网、上海大众、贵州大学、重庆大学、杭州电子科技大学等
